onsemi FDP150N10A-F102
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP45N10F7
N-channel 100 V, 0.013 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPP147N12N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 41 A, 0.0126 ohm, TO-220, Through Hole
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP150N10A-F102 fournies par ses distributeurs.
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 50A, 15mΩ
FDP Series 100V 15mOhm 19W Through Hole N-Channel PowerTrench® Mosfet - TO-220
MOSFET, N-CH, 100V, 50A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Pow
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance12.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation91 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation91 W
Rds On Max15 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height19.85 mm
Length10.36 mm
Width4.672 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité