STMicroelectronics STGP30H60DFB
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
onsemiSGS10N60RUFDTU
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 55000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube / IGBT 600V 16A 55W TO220F
onsemiHGTP12N60A4
Tube Through Hole N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2.7V @ 15V 12A 54A 167W 17ns/96ns
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STGP30H60DFB fournies par ses distributeurs.
Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Igbt, Single, 600V, 60A, To-220; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:260W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGP30H60DFB
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.55 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Forward Current30 A
Forward Voltage2 V
Max Collector Current60 A
Max Power Dissipation260 W
Number of Elements1
Reverse Recovery Time53 ns
Schedule B8541290080
Fiches techniques et documents
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