onsemi FGPF10N60UNDF
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-05-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2021-07-29
LTD Date2022-01-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTGF10H60DF
30W 20A 600V FS(Field Stop) TO-220FP IGBT Transistors / Modules ROHS
STMicroelectronicsSTGF10NB60SD
STGF10NB60SD Series 600 V 23 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220FP
Descriptions
Descriptions de onsemi FGPF10N60UNDF fournies par ses distributeurs.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 42000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
IGBT, 600V, 10A, Short Circuit Rated
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Igbt, 600V, 20A, 150Deg C, 42W Rohs Compliant: Yes
Using advanced NPT IGBT technology, Fairchild’s the NPT IGBTs offer the optimum performance for low-power inverter-driven applications where low-losses and short-circuit ruggedness features are essential, such as sewing machine, CNC, motor control and home appliances.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24.8 ns
Max Collector Current20 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time37.7 ns
Schedule B8541290080
Dimensions
Height16.07 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité