STMicroelectronics STD38NH02LT4
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2010-09-30
LTD Date2011-03-30
Pièces détachées
onsemiNTD50N03RT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 6.8ns
onsemiNTD50N03RT4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 4ns
onsemiNTD50N03RG
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 6.8ns
Diodes Inc.DMN3010LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STD38NH02LT4 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET Transistors N-Ch 24 Volt 38 Amp
MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 24V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 38A; Drain Source Voltage Vds: 24V; On Resistance Rds(on): 0.0135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.8V; Power Dissipation
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Current Rating38 A
Drain to Source Breakdown Voltage24 V
Drain to Source Resistance13.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)24 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.07 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage24 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max13.5 mΩ
Rise Time62 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)24 V
Fiches techniques et documents
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