onsemi NTD50N03RG
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-06-30
LTD Date2009-12-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNTD65N03RG
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9.5A Ta 32A Tc 32A 50W 20.3ns
InfineonIRLR8729TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
InfineonIRLR8729TRLPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi NTD50N03RG fournies par ses distributeurs.
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 6.8ns
Power MOSFET 25 V, 45 A, Single N-Channel, DPAK
Trans MOSFET N-CH 25V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
MOSFETs- Power and Small Signal 25V 45A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 25V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.8 A
Current Rating45 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance750 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max12 mΩ
Rise Time84 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité