STMicroelectronics STB35N60DM2

N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in D2PAK package
$ 2.875
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DistributorSKUMinPkg
TME
2
STB35N60DM2-STM-02 0001K
1h
NewarkSTB35N60DM201Cut Tape
AvnetSTB35N60DM201K
5d
Future Electronics
2
STB35N60DM201Cut Tape
Arrow ElectronicsSTB35N60DM201K

Fiches techniques et documents

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Future Electronics

Datasheet15 pagesIl y a 10 ans

Newark

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-09-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTB33N60DM2
N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
Détails
STMicroelectronicsSTB40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Détails
InfineonIPB60R099CPAATMA1
N-Channel 600 V 0.105 Ohm CoolMOS® Power Transistor-PG-TO263-3-2
Détails
STMicroelectronicsSTB42N60M2-EP
N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package
Détails
VishaySIHB33N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Détails
VishaySIHB33N60EF-GE3
600V 33A 98m´Î@10V16.5A 278W 4V@250Ã×A N Channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STB35N60DM2 fournies par ses distributeurs.

N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in D2PAK package
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK / N-Channel 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Win Source
N-Channel 600 V 110 mOhm Surface Mount DM2 Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
210W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 54nC@ 10 V 1N 600V 110m¦¸@ 14A,10V 28A 2.4nF@100V D2PAK,TO-263
Unikeyic (ICkey)
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N-CH, 600V, 28A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 28A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.094ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 210W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Farnell

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Newark
TME
Future Electronics
Lanka Micro

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics