STMicroelectronics STB34N65M5

N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
$ 2.708
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STB34N65M5.

IHS

Datasheet22 pagesIl y a 13 ans

Components Direct

Future Electronics

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-33.16%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles STMicroelectronics STB34N65M5, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTB38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB36NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK / N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, FRFET®, 600 V, 20 A, 190 mΩ, D2PAK

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STB34N65M5 fournies par ses distributeurs.

N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STB34N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 28 A, 710 V, 3-Pin D2PAK
190W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 62.5nC@ 10 V 1N 650V 110m¦¸@ 14A,10V 28A 2.7nF@100V D2PAK,TO-263
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 650V, 28A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 28A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.09ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 190W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: MDmesh Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics