Vishay SIHB30N60E-GE3

MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain
$ 3.525
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
DigiKeySIHB30N60E-GE3-ND4481Tube
TME
2
SIHB30N60E-GE301K
1h
TTISIHB30N60E-GE301KTube
5h
Future ElectronicsSIHB30N60E-GE3050Tube
AvnetSIHB30N60E-GE301K
1d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SIHB30N60E-GE3.

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Datasheet9 pagesIl y a 5 ans
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Farnell

Newark

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Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-01-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

onsemiFCB36N60NTM
N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600V, 25A, 125mΩ, D2PAK
Détails
VishaySIHB24N65E-GE3
E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Détails
VishaySIHB24N65E-E3
MOSFET, N CH, 650V, 24A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Détails
VishaySIHB22N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Détails
STMicroelectronicsSTB34NM60ND
N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) D2PAK
Détails
STMicroelectronicsSTB36NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK / N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay SIHB30N60E-GE3 fournies par ses distributeurs.

MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Newark
E-Series N-Channel 600 V 0.125 Ohm 130 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Verical
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N CH, 600V, 29A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.104ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Voltage Vgs Max:30V
Farnell

Images

Vishay
Farnell
Farnell
Future Electronics
RS
UTSource

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SIHB30N60EGE3