STMicroelectronics STB40NF10LT4
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRF1310NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.036Ohm;ID 42A;D2Pak;PD 160W;VGS +/-20V
InfineonIRF1310NSTRLPBF
Single N-Channel 100 V 160 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK
InfineonIRL540NSTRLPBF
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 36 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak Tape And Reel
STMicroelectronicsSTB35NF10T4
N-Channel 100V - 0.030 Ohm - 40A - D2PAK LOW GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB40NF10LT4 fournies par ses distributeurs.
N-CHANNEL 100V 0.028 OHM 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STB40NF10LT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 40 A, 100 V, 3-PIN D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, N CH, 100V, 40A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Pow
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance36 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance2.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max33 mΩ
Resistance33 mΩ
Rise Time82 ns
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant