STMicroelectronics STB35NF10T4

Name: STMicroelectronics STB35NF10T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB35NF10T4

N-Channel 100V - 0.030 Ohm - 40A - D2PAK LOW GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET

$ 1.18

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		STB35NF10T4	0	5	Bulk		1,310	1,180	1,180	1,180	11h
Farnell	2	STB35NF10T4	0	1	Cut Tape	2,372*	1,849*	1,849*	1,849*	1,849*	15h
Win Source		WS-STB35NF10T4	920	22				1,824	1,529	1,529	21h
Worldway Electronics		STB35NF10T4	24 268	7	Tape & Reel		0,492	0,477	0,452	0,452	20h
GreenTree Electronics		STB35NF10T4	2 000								1d

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Datasheet14 pagesIl y a 20 ans

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STMicroelectronicsSTB35NF10T4

STMicroelectronicsSTB35NF10

Price @ 1000

$ 1.18

$ 1.2

Stock

607,732

49,426

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

40 A

Threshold Voltage

3 V

Rds On Max

35 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

115 W

Input Capacitance

1.55 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2020-10-02

LTD Date2021-04-02

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTB30NF10T4

N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET

Détails

STMicroelectronicsSTB40NF10T4

Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 100 V, 28 Mohm, 10 V, 1.7 V |Stmicroelectronics STB40NF10T4

Détails

InfineonIRF540ZSTRLPBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 21Milliohms;ID 36A;D2Pak;PD 92W;VGS +/-20V

Détails

InfineonIRF540ZSTRRPBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 21Milliohms;ID 36A;D2Pak;PD 92W;VGS +/-20V

Détails

InfineonIRF540ZSPBF

IRF540ZSPBF N-channel MOSFET Transistor; 36 A; 100 V; 3-Pin D2PAK

Détails

onsemiFQB44N10TM

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 43.5 A, 52 mΩ, D2PAK

Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STB35NF10T4 fournies par ses distributeurs.

N-Channel 100V - 0.030 Ohm - 40A - D2PAK LOW GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET

STMicroelectronics

STB35NF10T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 40 A, 100 V, 3-PIN D2PAK

RS (Formerly Allied Electronics)

115W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 55nC@ 10 V 1N 100V 35m¦¸@ 17.5A,10V 40A 1.55nF@25V D2PAK 4.83mm

Unikeyic (ICkey)

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

MOSFET, N CH, 100V, 40A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:115W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:40A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:115W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Images

DKO Electronshik

Farnell

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Lanka Micro

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)40 A

Current Rating40 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance35 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Dual Supply Voltage100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time15 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.55 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation115 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs3 V

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation115 W

Rds On Max35 mΩ

Rise Time60 ns

Schedule B8541290080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage3 V

Turn-Off Delay Time60 ns

Turn-On Delay Time17 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height4.6 mm

Length10.75 mm

Width10.4 mm

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant