onsemi FQB44N10TM
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-09-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRF1310NSTRLPBF
Single N-Channel 100 V 160 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK
InfineonIRF540NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20
InfineonIRF540NSTRLPBF
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 33 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak Tape And Reel
STMicroelectronicsSTB40NF10LT4
N-CHANNEL 100V 0.028 OHM 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
Descriptions
Descriptions de onsemi FQB44N10TM fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 43.5 A, 52 mΩ, D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
N-Channel 100 V 0.039 Ohm 48 nC SMT QFET Mosfet - TO-263-3
Power Field-Effect Transistor, 43.5A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:43.5A; On Resistance, Rds(on):0.039ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:2-TO-263 ;RoHS Compliant: Yes
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)43.5 A
Current Rating43.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance39 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation146 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max39 mΩ
Rise Time190 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité