STMicroelectronics STB14NM50N

N-channel 500 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a D2PAK package
$ 1.801
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsSTB14NM50N3 0001K
VericalSTB14NM50N3 0001K
TME
2
STB14NM50N9981
1h
DigiKey
3
497-10644-1-ND2 0351Cut Tape
AvnetSTB14NM50N01K
5h

Fiches techniques et documents

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Farnell

Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

onsemiFDB15N50
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 500 V, 15 A, 380 mΩ, D2PAK
Détails
onsemiFQB9N50CTM
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 500 V, 9 A, 800 mΩ, D2PAK
Détails
InfineonIPB60R380C6ATMA1
INFINEON - IPB60R380C6ATMA1 - MOSFET Transistor, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
Détails
InfineonIPB60R299CPATMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
VishaySIHB6N65E-GE3
Single N-Channel 700 V 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
Détails
InfineonIPB65R420CFDATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STB14NM50N fournies par ses distributeurs.

N-channel 500 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a D2PAK package
STMicroelectronics
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Avnet
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
N-Channel 550 V 0.32 Ohm Surface Mount MDMesh II Power MosFet - D2PAK
Future Electronics
90W 25V 4V@ 100uA 27nC@ 10 V 2N 500V 320m¦¸@ 6A,10V 12A 816pF@50V D2PAK 4.83mm
Unikeyic (ICkey)
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N CH, 500V, 12A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.28ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:90W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
element14 APAC
Mosfet, N Ch, 500V, 12A, To-263; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:12A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:500V; Resistencia De Activación Rds(On):0.28Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Núm. De Contactos:3 |Stmicroelectronics STB14NM50N
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TME
element14 APAC
Future Electronics
Lanka Micro

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics