Le mode sombre est maintenant disponible. Basculer entre les modes clair et sombre. La préférence est enregistrée lorsque vous êtes connecté.

En savoir plus

STMicroelectronics STB11N52K3

N-channel 525 V, 0.41 Ohm, 10 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Obsolete
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

Voir tous les prix
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Microchip USA
STB11N52K3
361
600
Tray
USD
1,095
1,095
20h
Component Stockers USA
STB11N52K3
448
USD
99,990
99,990
99,990
99,990
99,990
>1wk
Win Source
WS-STB11N52K3
20
20
USD
2,260
1,895
1,895
3h
Worldway Electronics
STB11N52K3
29 364
7
Tray
USD
0,763
0,749
0,720
0,706
1d
GreenTree Electronics
STB11N52K3
964
4d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STB11N52K3.

IHS

Datasheet20 pagesIl y a 14 ans

Newark

Farnell

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31

Pièces détachées

VishayIRF630SPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Détails
onsemiFQB27P06TM
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK
Détails
InfineonIPB083N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Détails
InfineonIPB054N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Détails
onsemiFQB7P20TM-F085
Trans MOSFET P-CH 200V 7.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
Rochester ElectronicsIPB093N04LG
N-CHANNEL POWER MOSFET N-Channel 40 V 50A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO-263-3-2
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STB11N52K3 fournies par ses distributeurs.

N-channel 525 V, 0.41 Ohm, 10 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 525V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 525V, 0.51ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N CH, 525V, 10A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:525V; On Resistance Rds(on):0.41ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
element14 APAC

Images

Newark
Farnell
Farnell
Lanka Micro

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics