STMicroelectronics STB21N65M5
$ 2.299
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STB21N65M5 | 1 000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STB21N65M5 | 1 000 | 1K | |||||||||
| TME | STB21N65M5-STM-0 | 1 000 | 1K | 14h | ||||||||
| DigiKey | 497-10562-1-ND | 3 954 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STB21N65M5 | 0 | 1K | 18h |
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB25NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTB23NM60ND
N-channel 600 V, 0.150 Ohm, 19.5 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) D2PAK
STMicroelectronicsSTB26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB21N65M5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.150 Ohm typ., 17 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
N-Channel 710 V 17 A 179 mOhm 125 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STB21N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 17 A, 650 V, 2+TAB-PIN TO-263
650 V, 0.175 OHM, 17 A D2PAK N-CHANNEL MDMESH V POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 650V, 17A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.95 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation125 W
Rds On Max179 mΩ
Resistance150 Ω
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant