STMicroelectronics STB24N60M2
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB31N65M5
N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB23NM50N
N-channel 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, D2PAK MDmesh(TM) II Power MOSFET
STMicroelectronicsSTB18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
VishaySIHB22N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB24N60M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STB24N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 650 V, 3-Pin D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 18A, To-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.168Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB24N60M2
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time61 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.06 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max190 mΩ
Resistance190 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant