Infineon IRGS14C40LPBF

IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps | IGBT 430V 20A 125W D2PAK
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRGS14C40LPBF03200Bulk
17h
Farnell
2
IRGS14C40L01
3h
Microchip USAIRGS14C40L149600Tube
4d
Win Source
2
WS-IRGS14C40L21 00090
4h
Worldway Electronics
2
IRGS14C40L11 6007Tube
3h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRGS14C40LPBF.

ODG (Origin Data Global)

Datasheet12 pagesIl y a 21 ans

IHS

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

onsemiISL9V3040S3ST
Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
onsemiNGB18N40CLBT4
Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
onsemiNGB8202NT4G
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRGS14C40LPBF fournies par ses distributeurs.

IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps | IGBT 430V 20A 125W D2PAK
Win Source
IRGS14C40LPBF Series 430 V 14 A N-Channel Ignition IGBT - D2PAK-3
Future Electronics
Tube Surface Mount N-CHANNEL Single IGBT Transistor 1.75V @ 5V 14A 14A 125W 2.8ns
AAA CHIPS
Trans IGBT Chip N-CH 370V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Avnet
430V Low-Vceon Discrete IGBT in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Housing type: D2-PAK Collector-emitter breakdown voltage: 430 V Collector-emitter saturation voltage: 1.4 V Current release time: 2800 ns Power dissipation: 125 W
Distrelec
IGBT, D2PAK; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.4V; Power Dissipation Pd: 125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 430V; Transistor Case Style: TO-263; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Current
Farnell
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:20A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.75V; Power Dissipation, Pd:125W; Package/Case:TO-263 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:1.4V; Power Dissipation Pd:125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:430V; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:20A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Max:125W; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Rise Time:2.8ns; SMD Marking:GS14C40L; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:400V
element14 APAC

Images

Infineon
element14 APAC
Augswan
Distrelec
TME
DKO Electronshik
element14 APAC
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Farnell
Future Electronics
Distrelec
element14
Rochester Electronics
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRGS14C40LPBF
  • IRGS 14C40LPBF
  • IRGS14C40L
  • SP001533072