onsemi MUN5312DW1T1G
$ 0.057
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -7.44%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi MUN5312DW1T1G.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi MUN5312DW1T1G, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.057
$ 0.06
Stock
8,581,097
1,210,059
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363-6
Polarity
NPN
NPN, PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
-
hFE Min
60
60
Power Dissipation
-
187 mW
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiMUN5330DW1T1G
ON SEMI MUN5330DW1T1G DUAL NPN+PNP BIPOLAR TRANSISTOR,0.1 A,50V,6-PIN SOT-363
onsemiMUN5314DW1T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
Descriptions
Descriptions de onsemi MUN5312DW1T1G fournies par ses distributeurs.
MUN Series 50 V 100 mA 22 kOhm NPN/PNP Dual Bias Resistor Transistor - SOT-363
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
MUN5312DW1T1G NPN+PNP DIGI TRANSISTOR,100MA 50V 22 KOHM, RATIO OF 1,6-PIN SC-88
60@5mA,10V 1 NPN - Pre-Biased,1 PNP - Pre-Biased 187mW 100mA 50V 500nA SOT-323-6 Digital Transistors ROHS
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
BRT TRANSISTOR, AEC-Q101, 50V, 22K/22K; Digital Transistor Polarity: NPN and PNP Complement; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 22kohm; Base-Emitter Resis
Brt Transistor, 50V, 22K/22Kohm, Sot-363, Full Reel; Transistor Polarity:Npn And Pnp Complement; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:50V; Continuous Collector Current:100Ma; No. Of Pins:6 Pin Rohs Compliant: Yes |Onsemi MUN5312DW1T1G.
The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5311DW1T1 series two complementary BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -7.44%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min60
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.25 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi MUN5312DW1T1G.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité