onsemi HUF75344P3

N-Channel UltraFET® Power MOSFET 55V, 75A, 8mΩ
$ 1.47
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Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Price @ 1000
$ 1.47
$ 0.646
$ 0.646
Stock
180,052
3,002,218
3,002,218
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
8 mΩ
8 mΩ
8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
285 W
150 W
150 W
Input Capacitance
3.2 nF
3.247 nF
3.247 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-01-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
N-Channel 55 V 0.007 Ohm Flange Mount UltraFET Power Mosfet - TO-220AB
InfineonAUIRF3205
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.007OHMS N-CHANNEL TO-220AB
InfineonIRF3205ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 4.9Milliohms;ID 110A;TO-220AB;PD 170W;-55de
InfineonIRF1010ZPBF
Single N-Channel 55 V 7.5 mOhm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Descriptions

Descriptions de onsemi HUF75344P3 fournies par ses distributeurs.

N-Channel UltraFET® Power MOSFET 55V, 75A, 8mΩ
Trans MOSFET N-CH 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
75 A 55 V 0.008 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:75A; On Resistance, Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:3-TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, lowvoltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products. Formerly developmental type TA75344.

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • HUF75344P3.