Infineon IRF3205ZPBF
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Authorized Distributors
6
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
4 V
2 V
Rds On Max
6.5 mΩ
6.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
170 W
170 W
Input Capacitance
3.45 nF
3.45 nF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-03-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13
Pièces détachées
InfineonIRF4104PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 4.3Milliohms;ID 120A;TO-220AB;PD 140W;-55de
InfineonIRF2805PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 3.9Milliohms;ID 175A;TO-220AB;PD 330W;-55de
InfineonIRF1405ZPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF3205ZPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 4.9Milliohms;ID 110A;TO-220AB;PD 170W;-55de
Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 170 W
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, 55V, 110A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):6.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:170W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:75A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.9°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:6.5mohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:170W; Power Dissipation Pd:170W; Pulse Current Idm:440A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time67 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.45 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.5 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation170 W
Rds On Max6.5 mΩ
Recovery Time42 ns
Resistance6.5 mΩ
Rise Time95 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité