onsemi FQB5N90TM

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 5.4 A, 2.3 Ω, D2PAK
$ 1.5
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
FQB5N90TM8001
2d
Verical
2
FQB5N90TM1 600218
Rochester ElectronicsFQB5N90TM2 400
23h
DigiKey
2
FQB5N90TMCT-ND5751Cut Tape
Flip ElectronicsFQB5N90TM800
6d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FQB5N90TM.

IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTB11N52K3
N-channel 525 V, 0.41 Ohm, 10 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Détails
onsemiFDB15N50
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 500 V, 15 A, 380 mΩ, D2PAK
Détails
onsemiFQB27P06TM
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK
Détails
InfineonIPB65R660CFDATMA1
Power Mosfet, N Channel, 6 A, 650 V, 0.594 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Détails
VishaySIHB6N65E-GE3
Single N-Channel 700 V 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
Détails
STMicroelectronicsSTB14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a D2PAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FQB5N90TM fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 5.4 A, 2.3 Ω, D2PAK
onsemi
900 V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 900V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N CH, 900V, 5.4A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.4A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):1.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:158W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Farnell
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Fairchild Semiconductor

Images

Farnell
TME
Farnell
RS APAC
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FQB5N90TM.