onsemi FQB55N10TM

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 55 A, 26 mΩ, D2PAK
$ 1.07
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IHS

Datasheet8 pagesIl y a 12 ans

Master Electronics

onsemi

element14 APAC

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 1.07
$ 1.38
Stock
163,945
34,689
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
55 A
55 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
26 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
-
Power Dissipation
3.75 W
155 W
Input Capacitance
2.73 nF
-

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

InfineonIRF3710SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 23Milliohms;ID 57A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 23Milliohms;ID 57A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
Single N-Channel 100 V 23 mOhm 130nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
onsemiFDB3652
N-Channel 100 V 16 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 43.5 A, 52 mΩ, D2PAK

Descriptions

Descriptions de onsemi FQB55N10TM fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 55 A, 26 mΩ, D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 100V, 55A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:155W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FQB55N10TM.