onsemi FDB3652
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-04-30
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRF3710ZSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 14Milliohms;ID 59A;D2Pak;PD 160W;VGS +/-20
STMicroelectronicsSTB40NF10T4
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 100 V, 28 Mohm, 10 V, 1.7 V |Stmicroelectronics STB40NF10T4
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB3652 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 100 V 16 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16mΩ
150W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 53nC@ 10V 1N 100V 16m¦¸@ 61A,10V 9A,61A 2.88nF@25V D2PAK 5.08mm
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
100 V, 61 A, 16 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH 61A 100V, TO236AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:61A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:61A; Package / Case:TO-263; Power Dissipation Pd:150W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating61 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.88 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max16 mΩ
Resistance16 MΩ
Rise Time85 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité