onsemi FJE3303H2TU
$ 0.461
EOL
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FJE3303H2TU | 1 897 | 717 | |||||||||
| Rochester Electronics | FJE3303H2TU | 30 699 | 16h | |||||||||
| DigiKey | FJE3303H2TU-ND | 1 649 | 1 | Tube | ||||||||
| Newark | FJE3303H2TU | 0 | 1920 | |||||||||
| Avnet | FJE3303H2TU | 0 | 1920 | 2d |
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Pièces de rechange
1 composant disponible
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.461
$ 0.714
Stock
296,108
150,187
Authorized Distributors
6
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-126-3
TO-126
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
400 V
400 V
Max Collector Current
1.5 A
1.5 A
Transition Frequency
4 MHz
4 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
500 mV
hFE Min
14
14
Power Dissipation
20 W
20 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-07-27
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2025-10-23
LTD Date2026-04-23
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
onsemiFJE3303H1TU
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 8 @ 500mA 2V 1.5A 20W 4MHz
onsemiKSE13003H3ASTU
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 19 @ 500mA 2V 1.5A 20W 4MHz
Diodes Inc.APT13003DU-G1
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
onsemiKSC2258ASTU
Tube Through Hole NPN Bipolar (BJT) Transistor 40 @ 40mA 20V 100mA 4W 100MHz
Descriptions
Descriptions de onsemi FJE3303H2TU fournies par ses distributeurs.
Transistor, bjt, npn,400V V(Br)Ceo,1.5A I(C),to-126 Rohs Compliant: Yes |Onsemi FJE3303H2TU
FJE3303 Series 400 V 1.5 A Through Hole Fast Switching NPN Transistor - TO-126
400V 20W 1.5A NPN TO-126-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
NPN Silicon Transistor Planar Silicon Transistor
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-126-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)700 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Current Rating1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage700 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min14
Max Collector Current1.5 A
Max Frequency4 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation20 W
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height14.2 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité