onsemi FGH75T65SHDTL4
$ 3.081
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-11-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTGW50HF60SD
60 A, 600 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode
STMicroelectronicsSTGW60H65DRF
STGW60H65DRF Series 650 V 120 A Field Stop Trench Gate IGBT - TO-247
Descriptions
Descriptions de onsemi FGH75T65SHDTL4 fournies par ses distributeurs.
IGBT 650V 150A 455W TO-247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
IGBT, 650 V, 75 A Field Stop Trench 650 V, 75 A Field Stop Trench IGBT
IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 150A, TO-247-4; DC Collector Current: 150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 455W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-4
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight6.289 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current150 A
Max Collector Current150 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation455 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation455 W
Reverse Recovery Time76 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time189 ns
Turn-On Delay Time55 ns
Dimensions
Height25.56 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité