onsemi FGH60N60SMD
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-05-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNGTB45N60S1WG
ON SEMICONDUCTOR NGTB45N60S1WG IGBT Single Transistor, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
STMicroelectronicsSTGW50H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
onsemiFGH75T65SQD-F155
IGBT 650V 150A 375W TO247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Descriptions
Descriptions de onsemi FGH60N60SMD fournies par ses distributeurs.
FGH60N60SMD Series 600 V 60 A Through Hole Field Stop IGBT - TO-247-3
600W -55℃~+175℃@(Tj) 120A 600V Field Stop 180A 0.45mJ 1.26mJ TO-247-3 IGBTs ROHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB
IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247-TRANSIS
IGBT,N CH,FAST,W/DIO,600V,120A,TO247;
Fspigbt To247 60A 600V Rohs Compliant: Yes
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FSPIGBT TO247 60A 600V 92R5607;
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 2nd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.9 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current120 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time68 ns
Max Collector Current120 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation600 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation600 W
Reverse Recovery Time39 ns
Rise Time70 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time104 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Length15.6 mm
Width4.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité