STMicroelectronics STGW50HF60SD
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STGW50HF60SD.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles STMicroelectronics STGW50HF60SD, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-02-04
LTD Date2016-08-04
Pièces détachées
onsemiNGTB40N60L2WG
IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247 / IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 417 W Through Hole TO-247-3
onsemiNGTB45N60S1WG
ON SEMICONDUCTOR NGTB45N60S1WG IGBT Single Transistor, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
STMicroelectronicsSTGW39NC60VD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGW60V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed
STMicroelectronicsSTGW40V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STGW50HF60SD fournies par ses distributeurs.
60 A, 600 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode
Trans IGBT Chip N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
STMICROELECTRONICS STGW50HF60SD IGBT Single Transistor, 110 A, 600 V, 284 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
IGBT 600V 60A Low Drop Soft, Diode TO247
IGBT,W DIODE, 600V, 60A, TO-247
IGBT,W DIODE, 600V, 60A, TO-247; DC Collector Current: 110A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 600V; Power Dissipation Pd: 284W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current110 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation284 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation284 W
Reverse Recovery Time67 ns
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STGW50HF60SD.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant