onsemi FDP050AN06A0
$ 1.28
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -16.46%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDP050AN06A0, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-02-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRF1010EPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 84A;TO-220AB;PD 200W;gFS 69S
InfineonIRF1405ZPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonIRF2807PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 13 Milliohms;ID 82A;TO-220AB;PD 230W;gFS 38S
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP050AN06A0 fournies par ses distributeurs.
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220; PowerTrench®
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 5mΩ
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Through Hole
FDP050AN06A0 Series 60 V 80 A 5 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - TO-220-3
MOSFET, N CH, 60V, 18A, TO-220AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; P
60 V, 80 A, 5 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -16.46%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.9 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation245 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation245 W
Rds On Max5 mΩ
Resistance5 MΩ
Rise Time160 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité