onsemi FQP85N06
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-15
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRF3205PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;TO-220AB;PD 200W;gFS 44S
InfineonIRF1010EPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 84A;TO-220AB;PD 200W;gFS 69S
InfineonIRF1010EZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 6.8Milliohms;ID 84A;TO-220AB;PD 140W;-55deg
Descriptions
Descriptions de onsemi FQP85N06 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 60 V, 85 A, 10 mΩ, TO-220
N-Channel 60 V 10 mO 160 W Flange Mount Mosfet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
60V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:85A; On Resistance, Rds(on):0.01ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:85A; Resistance, Rds On:0.01ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Alternate Case Style:SOT-78B; Current, Idm Pulse:300A; Device Marking:FQP85N06; No. of Pins:3; Power Dissipation:160W; Power, Pd:160W; Resistance, Rds on Max:0.01ohm; Voltage, Vds Max:60V; Voltage, Vgs th Max:4V
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)85 A
Current85 A
Current Rating85 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time170 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance4.12 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max10 mΩ
Resistance10 MΩ
Rise Time230 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time175 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Voltage60 V
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.1 mm
Width4.7 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité