onsemi FDMS86103L
$ 1.461
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | FDMS86103L | 402 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | FDMS86103L | 2 670 | 12 | |||||||||
| Arrow Electronics | FDMS86103L | 2 788 | 1 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | FDMS86103L | 0 | 750 | Bulk | ||||||||
| Avnet | FDMS86103L | 0 | 3K | 5d |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishaySIR870ADP-T1-GE3
Vishay N channel TrenchFET power MOSFET, 100 V, 60 A, SOIC-8, SIR870ADP-T1-GE3
VishaySIR846DP-T1-GE3
Single N-Channel 100V 0.0078 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet POWERPAK-SO-8
VishaySIR846ADP-T1-GE3
SiR846ADP Series 100 V 60 A 9.5 mOhm N-Channel MOSFET - PowerPAK® - SOIC-8
InfineonAUIRF3710ZS
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS86103L fournies par ses distributeurs.
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 81A, 8mΩ
In a Pack of 3, N-Channel MOSFET, 49 A, 100 V, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor FDMS86103L
FDMS86103L Series 100 V 81 A 8 mOhm N-Ch PowerTrench® MOSFET - Power56
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process thant has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
MOSFET, N CH, 100V, 49A, POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0064ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.71 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time7.2 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6.15 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité