Infineon IRFS4510TRLPBF
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Stock
230,591
28,963
Authorized Distributors
5
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
61 A
61 A
Threshold Voltage
2 V
3 V
Rds On Max
13.9 mΩ
13.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
3.18 nF
3.18 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-04-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Pièces détachées
InfineonAUIRF3710ZS
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIPB70N10S3L12ATMA1
100V, N-Ch, 11.8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
VishaySQM47N10-24L-GE3
SQM47N10-24L-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 47 A, 100 V, 2+TAB-PIN TO-263
onsemiHUF75645S3S
75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFS4510TRLPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 100V 13.9 mOhm 58 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 100V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:61A; On Resistance Rds(On):0.0113Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V Rohs Compliant: Yes
MOSFET, N-CH, 100V, 64A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:61A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0113ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)61 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance13.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.18 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13.9 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation140 W
Rds On Max13.9 mΩ
Rise Time32 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height4.83 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité