onsemi FDMD8680
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2016-06-10
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2024-06-22
LTD Date2024-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Pièces détachées
onsemiFDMS86300DC
MOSFET, N CH, 80V, 0.0026OHM, 76A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Co
STMicroelectronicsSTB80NF10T4
N-Channel 100V - 0.012Ohm - 80A - D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET(TM) MOSFET
STMicroelectronicsSTB60NF10T4
STB60NF10T4 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMD8680 fournies par ses distributeurs.
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 66A, 4.7mΩ
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET, 80V, 66A. 8-PQFN PACK
Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 80V, 0.0047ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This package integrates two N-Channel devices connected internally in common-source configuration. This enables very low package parasitics and optimized thermal path to the common source pad on the bottom. Provides a very small footprint (5 x 6 mm) for higher power density.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight97.95918 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)66 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance4.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)80 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.3 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height800 µm