STMicroelectronics STB76NF80
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB75NF75T4
N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB75NF75LT4
N-Channel 75V - 0.009Ohm - 75A - D2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTB60NF10T4
STB60NF10T4 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK
InfineonIRF2807SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 13 Milliohms;ID 82A;D2Pak;PD 230W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB76NF80 fournies par ses distributeurs.
MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 80 V, 0.0095 ohm, 10 V, 3 V
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 80V, 80A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.0095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation300 W
Rds On Max11 mΩ
Resistance9.5 mΩ
Rise Time100 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time66 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant