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Pièces détachées
Diodes Inc.ZXMN2A01E6TA
N-Channel 20 V 0.12 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
Diodes Inc.DMP2130LDM-7
20V 3.4A 1.25W 80mΩ@4.5V,4.5A 1.25V@250uA P Channel SOT-23-6 MOSFETs ROHS
InfineonIRLMS1902TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 3.2A;Micro6 (SOT-23);PD 1.7W;-55de
Descriptions
Descriptions de onsemi FDFC2P100 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin SuperSOT T/R
MOSFETs -20V Integrate P-Ch PT MOSFET-Schtky Dio
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.252ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P, FETKY, SSOT-6; Transistor Type:PowerTrench; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:3A; Resistance, Rds On:0.15ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.9V; Case Style:SSOT-6; Termination Type:SMD; Current, Id Max:-6A; Current, If AV:1mA; No. of Pins:6; Power Dissipation:1.5mW; Voltage, Vds Max:20V; Voltage, Vf Max:0.45V; Voltage, Vgs th Max:-1.5V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance252 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time11 ns
Forward Current1 mA
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance445 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max150 mΩ
Rise Time11 ns
Threshold Voltage-900 mV
Turn-Off Delay Time12 ns
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