Infineon IRLMS1902TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 20V; Rds(on) 0.1 Ohm; Id 3.2A; MICRO6 (SOT-23); Pd 1.7W; -55DE
$ 0.296
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRLMS1902TRPBF050Bulk
10h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.IRLMS1902TRPBF6391Tape & Reel
1d
Win Source
2
WS-IRLMS190260 86415
22h
Worldway ElectronicsIRLMS1902TRPBF13 3837Tape & Reel
21h
ICPartonlineIRLMS1902TRPBF39 695
>1wk

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRLMS1902TRPBF.

element14 APAC

Datasheet8 pagesIl y a 21 ans
Datasheet8 pagesIl y a 22 ans

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-03-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

Pièces détachées

Diodes Inc.ZXMN2A01E6TA
N-Channel 20 V 0.12 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
Détails
onsemiFDC6401N
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 3.0A, 70mΩ
Détails
Diodes Inc.DMP2130LDM-7
20V 3.4A 1.25W 80mΩ@4.5V,4.5A 1.25V@250uA P Channel SOT-23-6 MOSFETs ROHS
Détails
InfineonIRLMS6702TRPBF
-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Détails
Diodes Inc.ZXM62P02E6TA
ZXM62P02E6 20 V 0.2 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23-6
Détails
onsemiFDFC3N108
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLMS1902TRPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 3.2A;Micro6 (SOT-23);PD 1.7W;-55de
RS (Formerly Allied Electronics)
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 20 V 10 Ohm 4.7 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-6
Future Electronics
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:3.2A; On Resistance, Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:6-TSOP ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature | Target Applications: DC Switches; Load Switch
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 3.2 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 100 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 4 / Rise Time ns = 11 / Turn-OFF Delay Time ns = 12 / Turn-ON Delay Time ns = 7 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TSOP6 / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 1.7
Distrelec

Images

Newark
TME
Distrelec
iiiC
Farnell
International Rectifier
Conrad
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRLMS1902TRPBF
  • IRLMS1902
  • IRLMS1902TRPBF.
  • IRLMS1902TRPBF..
  • IRLMS1902TRPBF...
  • SP001558856