onsemi FDC6392S
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-02-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2019-10-12
LTD Date2020-04-12
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FDC6392S fournies par ses distributeurs.
P-Channel PowerTrench® MOSFET and Integrated Schottky Diode 20V -2.2A, 150mΩ
Transistor,mosfet,p-Channel,20V V(Br)Dss,2.2A I(D),so Rohs Compliant: Yes
Chip Resistor - Surface Mount 120Ohm 0603 (1608 Metric) ±5% ±200ppm/°C Thick Film Tape & Reel (TR) 2 1 (Unlimited) ERJ RES SMD 120 OHM 5% 1/4W 0603
The FDC6392S combines the exceptional performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SSOT-6 package.This device is designed specifically as a single package solution for DC to DC converters. It features a fast switching, low gate charge MOSFET with very low onstate resistance. The independently connected Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC converter topologies.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Current Rating-2.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance369 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation960 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation960 mW
Rds On Max150 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité