onsemi FDC6318P

Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET, 1.8V specified, -12V, -2.5A, 90mΩ
$ 0.349
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DistributorSKUMinPkg
Future ElectronicsFDC6318P3 0003KTape & Reel
NewarkFDC6318P6 4331Cut Tape
Rochester ElectronicsFDC6318P282
1h
DigiKey
3
FDC6318PCT-ND1 7241Cut Tape
Verical
2
FDC6318P279 86023

Fiches techniques et documents

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Datasheet5 pagesIl y a 24 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-10-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiFDC6305N
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 2.7A, 80mΩ
Détails
onsemiFDC6327C
Dual N/P-Channel 20 V 0.08 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet - SSOT-6
Détails
onsemiFDC6401N
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 3.0A, 70mΩ
Détails
onsemiFDC6432SH
Trans MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A/2.5A 6-Pin SuperSOT T/R
Détails
onsemiFDFC3N108
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails
STMicroelectronicsSTT3P2UH7
P-channel 20 V, 0.087 Ohm typ., 3 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT23-6L package
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDC6318P fournies par ses distributeurs.

Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET, 1.8V specified, -12V, -2.5A, 90mΩ
onsemi
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Avnet Japan
MOSFET, PP; Transistor Polarity:P Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV; Power Dissipation Pd:960mW; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Continuous Drain Current Id:2.5A; Current Id Max:-2.5A; Drain Source Voltage Vds:-12V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):90mohm; Package / Case:SuperSOT; Power Dissipation Pd:960mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:12V; Voltage Vgs Max:-700mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
element14 APAC
These P-Channel 1.8V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
Fairchild Semiconductor

Images

Augswan
Farnell
element14
TME
Farnell
Future Electronics
iiiC
LZChips

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FDC6318P.