onsemi FDC6432SH
$ 0.481
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FDC6432SH | 45 128 | 8h | |||||||||
| Verical | FDC6432SH | 3 000 | 647 | |||||||||
| Microchip USA | FDC6432SH | 2 034 | 3500 | Tray | 3d | |||||||
| Component Stockers USA | FDC6432SH | 62 668 | 23h | |||||||||
| Win Source | WS-FDC6432SH | 5 000 | 430 | 9h |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Descriptions
Descriptions de onsemi FDC6432SH fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A/2.5A 6-Pin SuperSOT T/R
12V, P-CH MOSFET,30V, SYNCFET, POWER TRENCH, SSOT6
MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6
MOSFETs 12V P-Channel PowerTrench
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.4 A
Current Rating2.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance270 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation700 mW
Rds On Max90 mΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fiches techniques et documents
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