onsemi FDB3632
$ 2.03
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -9.52%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDB3632, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Pièces détachées
InfineonAUIRFS4410Z
MOSFET, N-CH, 100V, 97A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
International RectifierAUIRFS4310TRL
Trans MOSFET N-CH Si 100V 130A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTB100N10F7
N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB3632 fournies par ses distributeurs.
onsemi N-Ch Enhancement MOSFET PowerTrench Series, Vds=100V 12A D2PAK (TO-263) SMD 3-Pin
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9mΩ
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 310W
MOSFET-Power, N-Channel, POWERTRENCH Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 80 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 9 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 46 / Rise Time ns = 39 / Turn-OFF Delay Time ns = 96 / Turn-ON Delay Time ns = 30 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 245 / Power Dissipation (Pd) W = 310
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -9.52%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating44 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation310 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance9 MΩ
Rise Time39 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité