onsemi NDBA100N10BT4H
$ 1.065
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTH110N10F7-2
N-channel 100 V, 4.9 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIPB065N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK / N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIPB049N08N5ATMA1
Mosfet, N-Ch, 80V, 80A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB049N08N5ATMA1
STMicroelectronicsSTB100N10F7
N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTH80N10F7-2
N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Descriptions
Descriptions de onsemi NDBA100N10BT4H fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, 100V, 6.9mΩ, 100A, N-Channel
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Each |Onsemi NDBA100N10BT4H
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance8.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.95 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max6.9 mΩ
Rise Time385 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité