STMicroelectronics STB100N10F7
$ 1.09
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -5.18%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STB100N10F7.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles STMicroelectronics STB100N10F7, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-11-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFS7762TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK / N-Channel 75 V 85A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIRFS7762PBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIPB065N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK / N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
STMicroelectronicsSTH80N10F7-2
N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB100N10F7 fournies par ses distributeurs.
N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
STB100N10F7 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 100 V, 3-PIN D2PAK
N-channel 100 V 0.0068 Ohm Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0068ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; P
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -5.18%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.369 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max8 mΩ
Rise Time40 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STB100N10F7.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant