onsemi FDB2710
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-12-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB2710 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 250 V 42.5 mohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3
N-Channel PowerTrench® MOSFET 250V, 50A, 42.5mΩ
MOSFET, N-CH, 250V, 50A, TO-263AB-2; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.0363ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
MOSFET, N, SMD, TO-263; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:250V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.0363ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:2; Power Dissipation:260W; Voltage, Vds Max:250V; Voltage, Vgs th Max:5V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Current Rating50 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance42.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Dual Supply Voltage250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time154 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance7.28 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation260 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation260 W
Rds On Max42.5 mΩ
Resistance42.5 MΩ
Rise Time252 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time112 ns
Turn-On Delay Time80 ns
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width11.33 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité