onsemi FCP260N60E
$ 1.766
EOL
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FCP260N60E | 2 757 | 3h | |||||||||
| DigiKey | FCP260N60EOS-ND | 190 | 1 | Tube | ||||||||
| Newark | FCP260N60E | 0 | 800 | |||||||||
| Avnet | FCP260N60E | 0 | 800 | 5h | ||||||||
| Farnell | FCP260N60E | 0 | 1 | 1d |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-08-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2025-10-08
LTD Date2026-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP24NM60N
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-220
STMicroelectronicsSTP23NM50N
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
STMicroelectronicsSTP18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
Descriptions
Descriptions de onsemi FCP260N60E fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 15 A, 260 mΩ, TO-220
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP260N60E Power MOSFET, N Channel, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
MOSFET, N-CH, 600V, 15A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:156W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; MSL:(Not Applicable); SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingRail/Tube
Power Dissipation156 W
Rds On Max260 mΩ
Rise Time11 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time89 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité