onsemi FCP11N60N

N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 10.8 A, 299 mΩ, TO-220
$ 1.44
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FCP11N60N.

IHS

Datasheet10 pagesIl y a 12 ans
Datasheet0 pageIl y a 0 an

onsemi

Fairchild Semiconductor

Farnell

element14 APAC

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
+0.00%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles onsemi FCP11N60N, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Ultra Librarian
SymboleEmpreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-08-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-09-29
LTD Date2023-03-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

Pièces détachées

onsemiFCP13N60N
N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 13 A, 258 mΩ, TO-220
onsemiFCP9N60N
N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 9 A, 385 mΩ, TO-220
STMicroelectronicsSTP18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
96W 20V 2.5V 22nC@ 10V 1N 650V 299m¦¸@ 10V 11A 1.1nF@ 100V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
STMicroelectronicsSTP15NM60ND
N-channel 600 V, 0.27 Ohm typ., 14 A FDmesh II Power MOSFET in TO-220 package

Descriptions

Descriptions de onsemi FCP11N60N fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 10.8 A, 299 mΩ, TO-220
94W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 35.6nC@ 10V 1N 600V 299m¦¸@ 5.4A,10V 10.8A 1.505nF@100V TO-220-3 9.4mm
FCH47N60 Series 600 V 0.38 Ohms Flange Mount N-Channel MOSFET - TO-220
Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 600V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET,N CH,600V,10.8A,TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.8A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.255ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:94W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)
The SupreMOS® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s next generation of high voltage super-junction (SJ) technology employing a deep trench filling process that differentiates it from the conventional SJ MOSFETs. This advanced technology and precise process control provides lowest Rsp on-resistance, superior switching performance and ruggedness. SupreMOS MOSFET is suitable for high frequency switching power converter applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FCP11N60N.