onsemi FDP12N60NZ

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 12 A, 650 mΩ, TO-220
$ 1.242
Obsolete
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Prix et stock

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet10 pagesIl y a 12 ans

Farnell

onsemi

Fairchild Semiconductor

Newark

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTP13NK60Z
N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A TO-220 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600V, 10A, 750mΩ, TO-220
STMicroelectronicsSTP10NK60Z
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP10NM60N
N-channel 600 V, 0.53 Ohm typ., 10 A, MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
onsemiFCP380N60
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600V, 10.2A, 380mΩ, TO-220
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600V, 10.2A, 380mΩ, TO-220

Descriptions

Descriptions de onsemi FDP12N60NZ fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 12 A, 650 mΩ, TO-220
Single N-Channel 600 V 0.65 Ohm 34 nC 240 W DMOS Flange Mount Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET,N CH,600V,12A,TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.53ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:240W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)
UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FDP12N60NZ.