STMicroelectronics STP24NM60N
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP23NM50N
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
STMicroelectronicsSTP18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP13NK60Z
N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A TO-220 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
onsemiFCP190N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 20.6 A, 190 mΩ, TO-220
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP24NM60N fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-220
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 600V 17A TO220
STP24NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 17 A, 650 V, 3-PIN TO-220
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 600V, 17A, TO 220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.168ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation120 W
Rds On Max190 mΩ
Resistance190 MΩ
Rise Time16.5 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time73 ns
Turn-On Delay Time11.5 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant