onsemi BCP56-10T1G
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Pièces de rechange
Ce composant
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Stock
1,516,337
184,989
Authorized Distributors
6
5
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SOT-223-4
TO-261-4
Polarity
NPN
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
1 A
1 A
Transition Frequency
130 MHz
130 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
-
hFE Min
63
63
Power Dissipation
1.5 W
-
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiBCP56-16T1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi BCP56-10T1G fournies par ses distributeurs.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount
80V 1.5W 63@150mA,2V 1A NPN SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS NPN 80V 1A SOT-223
1.0 A, 80 V NPN Bipolar Junction Transistor hFE = 63 to 160
ON SEMI BCP56-10T1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 1 A, 80 V SOT-223
BCP Series 80 V 1.5 A Surface Mount NPN Silicon Epitaxial Transistor - SOT-223
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
General Purpose Transistors NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=1.5W SOT223
Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:80V; Continuous Collector Current:1A; Power Dissipation:1.5W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:4Pins; Transition Frequency:130Mhz; Dc Current Gain Hfe Min:63Hfe Rohs Compliant: Yes |Onsemi BCP56-10T1G.
These NPN Silicon Epitaxial transistors are designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency130 MHz
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min63
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency130 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency130 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité