onsemi BCP56T1G
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Pièces de rechange
Ce composant
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$ 0.17
$ 0.171
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Stock
8,820,383
12,852,370
12,852,370
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-223-4
SOT-223-4
SOT-223-4
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
130 MHz
130 MHz
130 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
40
100
100
Power Dissipation
1.5 W
1.5 W
1.5 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiBCP56-16T3G
General Purpose Transistor Medium Power, NPN 80 V, 1 A BJT - NPN, 80V, 1A. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
onsemiBCP56-16T1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi BCP56T1G fournies par ses distributeurs.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BCP Series NPN 1.5 W 80 V 1 A Surface Mount Epitaxial Transistor - SOT-223
80V 1.5W 25@5.0mA,2.0V 1A NPN SOT-223 Bipolar (BJT) ROHS
ON SEMI BCP56T1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 1 A, 80 V SOT-223
500mV@ 50mA,500mA NPN 1.5W 5V 100nA 100V 80V 1A SOT-223 SMD mount 6.5mm*3.5mm*1.63mm
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
NPN Bipolar Transistor hFE 40 to 250
Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
TRANSISTOR, NPN, 80V, 1A, SOT-223-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 130MHz; Power Dissipation Pd: 1.5W; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transis
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency130 MHz
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency130 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency130 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length6.5 mm
Width3.5 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité