Infineon IRLS3036TRLPBF
$ 1.639
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRLS3036TRLPBF | 1 804 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IRLS3036TRLPBF | 901 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | IRLS3036TRLPBF | 19 200 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | IRLS3036TRLPBFCT-ND | 6 666 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLS3036TRLPBF | 0 | 2 | Bulk | 22h |
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Pièces de rechange
1 composant disponible
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 1.639
$ 2.04
$ 2.04
Stock
263,157
53,681
53,681
Authorized Distributors
6
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
195 A
Threshold Voltage
2.5 V
1 V
1 V
Rds On Max
2.4 mΩ
2.4 mΩ
2.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
380 W
380 W
380 W
Input Capacitance
11.21 nF
11.21 nF
11.21 nF
Pièces détachées
InfineonAUIRFS3006-7TRL
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7p Package
InfineonIRFS3006PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRLS3036TRLPBF fournies par ses distributeurs.
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 60V, 270A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60 V 2.8 mOhm 140 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
MOSFET, 60V, 270A, 2.4 MOHM, 91 NC QG, LOGIC LEVEL, D2-PAK | Infineon IRLS3036TRLPBF
Benefits: RoHS Compliant; Logic Level | Target Applications: Battery Operated Drive
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance11.21 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation380 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.4 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation380 W
Rds On Max2.4 mΩ
Resistance1.9 MΩ
Rise Time220 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time66 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.652 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité