onsemi FDB029N06
$ 3.21
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-08-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Pièces détachées
InfineonIRFS3006PBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB029N06 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 193A, 3.1mΩ
Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Ch MOSFET 60V 120A 231W(Tc) 4.5V@250µA 151nC@10V 3.1mΩ@75A,10V 9.815nF@25V TO-263 SMD 10.67mm × 9.65mm × 4.83mm
60V 193A 2.4m´Î@10V75A 231W 3.5V@250uA 451pF@25V N Channel 7.38nF@25V 116nC@10V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) D2PAK MOSFETs ROHS
TAPE REEL/NCH 60V 2.9mohm D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.762 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.815 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation231 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation231 W
Rds On Max3.1 mΩ
Rise Time178 ns
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time39 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité