Infineon IRFS3006TRLPBF
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Stock
1,704,079
53,483
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
2.5 mΩ
2.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
Input Capacitance
8.97 nF
8.97 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFS3006PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFS3107PBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFS3006TRLPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 60 V 2.5 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 60V, 195A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 195A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 375W; Transistor Case Style: TO-263AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 270 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 2 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 189 / Rise Time ns = 182 / Turn-OFF Delay Time ns = 118 / Turn-ON Delay Time ns = 16 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 375
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time189 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.97 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.5 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation375 W
Rds On Max2.5 mΩ
Resistance2.5 MΩ
Rise Time182 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time118 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité